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弗萊貝格MDPpro晶錠壽命測量裝置

簡要描述:

弗萊貝格MDPpro晶錠壽命測量裝置
單晶 、多晶晶圓和晶錠 壽 命測量裝置
用于常規(guī)質量控制和復雜的材料研發(fā)
硅| 化合物半導體| 氧化物| 寬帶隙材料| 鈣鈦礦| 外延層
[ CdTe | InP | ZnS | SiC | GaAs | GaN | Ge ]

更新時間:2023-06-15

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弗萊貝格MDPpro晶錠壽命測量裝置

弗萊貝格MDPpro晶錠壽命測量裝置
單晶 、多晶晶圓和晶錠 壽 命測量裝置
用于常規(guī)質量控制和復雜的材料研發(fā)
硅| 化合物半導體| 氧化物| 寬帶隙材料| 鈣鈦礦| 外延層
[ CdTe | InP | ZnS | SiC | GaAs | GaN | Ge ]

弗萊貝格MDPpro晶錠壽命測量裝置

常規(guī)壽命測量、質量控制與檢查*的材料研發(fā)
應用案列
+ 鐵濃度測定
+ 陷阱濃度測定
+ 硼氧含量測定
+ 取決于注入效應的的檢測等
大通 量: >240 bricks/day或>720 wafers/day
測 試 速 度: <4 minutes,156×156×400 mm 標準晶錠
壽命測 試范圍: 20 ns到幾十ms
產量提 升: 1mm的切割標準156×156×400mm標準晶錠
質 量 控 制: 專為單晶或多晶硅等工藝和材料的質量監(jiān)控而設計
污染判 斷: 產生于坩堝和生產設備中的金屬污染 (Fe)
可靠性: 模塊化,具有更高的可靠性和正常運行時間 > 99%
重復性: > 99.5%
電阻率 :電阻率面掃功能,無需頻繁校準

+ 無接觸且無破壞的壽命成像(μPCD / MDP(QQSS )),光電導率,電阻率和p / n檢查,符合半標準SEMI PV9-1110
+ 晶圓切割,熔爐監(jiān)控,材料優(yōu)化等

 *的材料研發(fā)應用案列
+ 鐵濃度測定
+ 陷阱濃度測定
+ 硼氧含量測定
+ 取決于注入效應的的檢測等

MDPStudio
具有:
› 導出和導入功能
› 用戶結構的操作系統(tǒng)
› 所有已執(zhí)行測量的總覽界面
› 樣品參數輸入
› 單點測量,例如注入依賴的測試
› 面掃功能
› 菜單選項
› 分析功能包
› 線掃及單點瞬態(tài)可視化

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